Rangkaian IC driver gerbang saluran tunggal EiceDRIVER™ 1EDB dengan isolasi galvanik terintegrasi dalam paket DSO 150-pin 8 mil kecil

Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) memperluas portofolio IC driver gerbang saluran tunggal yang terus berkembang. Rangkaian baru EiceDRIVER™ 1EDB dari IC driver gerbang saluran tunggal menyediakan isolasi input-ke-output galvanik 3 kV_rms (UL 1577) yang memastikan pemisahan ground-loop yang kokoh. Kekebalan transien mode umum (CMTI) mereka melebihi 300 V/ns, menjadikan perangkat ini pilihan sempurna untuk aplikasi hard switching yang memungkinkan berbagai topologi.

Rangkaian 1EDB baru mencakup empat bagian (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F, dan 1EDB9275F) dan dioptimalkan untuk aplikasi sisi tinggi/rendah. Mereka dapat memecahkan masalah tata letak PCB, yang umum dalam aplikasi berdaya tinggi seperti server dan catu daya mode-switch (SMPS) telekomunikasi serta sistem catu daya tak terputus (UPS). Karena kebutuhan kepadatan daya mereka yang meningkat, Pengisian EV desain sering membutuhkan daya switching cepat MOSFET. Fotovoltaik inverter memanfaatkan MOSFET silikon karbida karena memungkinkan kerugian switching yang lebih rendah dan langkah maju yang signifikan dalam kepadatan daya. Keluarga 1EDB baru menangani semua aplikasi ini, memastikan efisiensi sistem yang tinggi dan pengoperasian sistem yang kuat dan aman.

Semua produk dilengkapi dengan keluaran sumber ohmik (0.95 ) yang terpisah dan sangat rendah dan keluaran sink (0.48 ) untuk kemudahan desain, menawarkan kekuatan penggerak tipikal 5.4 A_puncak sumber dan 9.8 A_puncak wastafel. Fitur ini memainkan peran penting dalam mengurangi kerugian switching MOSFET daya. Akurasi delay propagasi input-to-output adalah +/- 4 ns membantu untuk memotong kerugian switching, yang penting dalam aplikasi fast-switching. Kecepatan penjepitan tahap keluaran tipikal adalah sesingkat 20 ns dan mendukung operasi sistem yang aman secara fungsional, terutama selama start-up.

Desainer dapat memilih di antara empat opsi penguncian di bawah tegangan keluaran (UVLO) yang berbeda:

• 0 V untuk MOSFET tingkat logika (1EDB7275F)
• 0 V untuk MOSFET level normal (1EDB8275F)
• 12 V untuk CoolSiC™ MOSFET 650 V (skema penggerak 15 V, 1EDB6275F)
• 14 V untuk CoolSiC™ MOSFET 650 V (skema penggerak ≥18 V, 1EDB9275F)

Ketersediaan

EiceDRIVERs 1EDB7275F dan 1EDB8275F tersedia dalam paket DSO 150-pin 8 mil dan dapat dipesan sekarang. Varian 1EDB6275F dan 1EDB9275F akan segera menyusul. Informasi lebih lanjut dapat ditemukan di www.infineon.com/1EDB