Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) memperluas portfolio IC pemacu gerbang saluran tunggal yang terus berkembang. IC pemandu gerbang saluran tunggal EiceDRIVER ™ 1EDB baru menyediakan pengasingan input-ke-output galvanik 3 kVrms (UL 1577) yang memastikan pemisahan gelung tanah yang kasar. Kekebalan sementara mod biasa mereka (CMTI) melebihi 300 V / ns, menjadikan peranti ini pilihan terbaik untuk aplikasi beralih keras yang memungkinkan banyak topologi.
Keluarga 1EDB baru merangkumi empat bahagian (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F dan 1EDB9275F) dan dioptimumkan untuk kedua-dua aplikasi sisi tinggi / rendah. Mereka dapat menyelesaikan masalah susun atur PCB, yang biasa berlaku dalam aplikasi berkuasa tinggi seperti bekalan kuasa mod suis pelayan dan telekomunikasi (SMPS) serta sistem bekalan kuasa (UPS) yang tidak terganggu. Oleh kerana keperluan ketumpatan daya mereka meningkat, Pengecasan EV reka bentuk selalunya memerlukan daya beralih pantas mosfet. Photovoltaic penyongsang memanfaatkan MOSFET silikon karbida kerana ia membolehkan kedua-dua kehilangan pengalihan yang lebih rendah dan langkah maju yang ketara dalam ketumpatan kuasa. Keluarga 1EDB baru menangani semua aplikasi ini, memastikan kecekapan sistem yang tinggi dan operasi sistem yang kuat dan selamat.
Semua produk dilengkapi dengan sumber ohmik (0.95 Ω) yang berasingan dan sangat rendah dan (0.48 Ω) keluaran sink untuk kemudahan reka bentuk, menawarkan kekuatan pemacu khas 5.4 Apuncak sumber dan 9.8 Apuncak tenggelam. Ciri ini berperanan penting dalam mengurangkan kehilangan kuasa MOSFET. Ketepatan penambatan input-ke-output penyebaran adalah +/- 4 ns membantu mengurangkan kerugian beralih, yang penting dalam aplikasi beralih cepat. Kelajuan pengapit tahap output khas adalah sesingkat 20 ns dan menyokong operasi sistem yang berfungsi dengan selamat, terutamanya semasa memulakan.
Pereka boleh memilih antara empat pilihan penguncian voltan bawah output (UVLO) yang berbeza:
- 0 V untuk MOSFET peringkat logik (1EDB7275F)
- 0 V untuk MOSFET tahap normal (1EDB8275F)
- 12 V untuk CoolSiC ™ MOSFET 650 V (skema pemanduan 15 V, 1EDB6275F)
- 14 V untuk CoolSiC ™ MOSFET 650 V (skema pemanduan ≥18 V, 1EDB9275F)
Ketersediaan
EiceDRIVERs 1EDB7275F dan 1EDB8275F boleh didapati dalam pakej DSO 150-pin 8 mil dan boleh dipesan sekarang. Varian 1EDB6275F dan 1EDB9275F akan menyusul tidak lama lagi. Maklumat lebih lanjut boleh didapati di www.infineon.com/1EDB