Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) breidt zijn groeiende portfolio van enkelkanaals gate-driver IC's uit. De nieuwe EiceDRIVER™ 1EDB-familie van enkelkanaals gate-driver-IC's biedt galvanische input-to-output-isolatie van 3 kVrms (UL 1577) die zorgt voor een robuuste scheiding van aardlussen. Hun common-mode transiënte immuniteit (CMTI) overschrijdt 300 V/ns, waardoor deze apparaten de perfecte keuze zijn voor hard switching-toepassingen die talrijke topologieën mogelijk maken.
De nieuwe 1EDB-familie bestaat uit vier delen (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F en 1EDB9275F) en is geoptimaliseerd voor zowel toepassingen aan de hoge als aan de lage kant. Ze kunnen problemen met de lay-out van PCB's oplossen, die vaak voorkomen in krachtige toepassingen zoals server- en telecom-geschakelde voedingen (SMPS) en ononderbroken stroomvoorziening (UPS). Vanwege hun toegenomen behoefte aan vermogensdichtheid, EV-opladen ontwerpen vereisen vaak snel schakelend vermogen mosfets. fotovoltaïsche omvormers profiteren van siliciumcarbide MOSFET's omdat ze zowel lagere schakelverliezen als een aanzienlijke stap voorwaarts in vermogensdichtheid mogelijk maken. De nieuwe 1EDB-familie is geschikt voor al deze toepassingen en zorgt voor een hoge systeemefficiëntie en een robuuste en veilige systeemwerking.
Alle producten worden geleverd met afzonderlijke en zeer laagohmige (0.95 ) bron- en (0.48 Ω) spoeluitgangen voor een eenvoudig ontwerp, met typische aandrijfsterkten van 5.4 Apiek bron en 9.8 Apiek wastafel. Deze functie speelt een cruciale rol bij het verminderen van de schakelverliezen van vermogens-MOSFET's. De nauwkeurigheid van de ingangs-naar-uitgang voortplantingsvertraging is +/- 4 ns, wat helpt om schakelverliezen te verminderen, wat essentieel is bij snel schakelende toepassingen. De typische klemsnelheid van de eindtrap is slechts 20 ns en ondersteunt een functioneel veilige systeemwerking, vooral tijdens het opstarten.
Ontwerpers kunnen kiezen tussen vier verschillende opties voor uitgangsonderspanningsuitsluiting (UVLO):
- 0 V voor MOSFET's op logisch niveau (1EDB7275F)
- 0 V voor MOSFET's op normaal niveau (1EDB8275F)
- 12 V voor CoolSiC™ MOSFET's 650 V (15 V-aandrijfschema, 1EDB6275F)
- 14 V voor CoolSiC™ MOSFET's 650 V (≥18 V-aandrijfschema, 1EDB9275F)
Beschikbaarheid
EiceDRIVERs 1EDB7275F en 1EDB8275F zijn verkrijgbaar in 150 mil 8-pins DSO-pakketten en kunnen nu worden besteld. Varianten 1EDB6275F en 1EDB9275F volgen binnenkort. Meer informatie is te vinden op www.infineon.com/1EDB