#FS150R12KE3 Eupec FS150R12KE3 Neu IGBT Module 1200V 150A FL BRIDGE, FS150R12KE3 Bilder, FS150R12KE3 Preis, #FS150R12KE3 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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FS150R12KE3
Produktkategorie: IGBT-Module
Hersteller: Infineon
RoHS: JA
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 1.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 205 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Pd - Verlustleistung: 700 W.
Verpackung / Karton: EconoPACK
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Verpackung: Tablett
Marke: Infineon Technologies
Höhe: 12 mm
Länge: 35.6 mm
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Factory Pack Menge: 10
Breite: 25.4 mm
IGBT-Module 1200V 150A FL BRIDGE
Shunlongwei prüfte jeden FS150R12KE3 vor dem Versand, alle FS150R12KE3 mit 6 Monaten Garantie.