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Email: sales@shunlongwei.com
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FS150R12KE3
Categoria di prodotto: moduli IGBT
Produttore: Infineon
RoHS: SI
Prodotto: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: esadecimale
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 1.7 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 205 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 700 W.
Confezione/scatola: EconoPACK
Temperatura operativa massima: + 125 C
Confezionamento: vassoio
Marchio: Infineon Technologies
Altezza: 12 mm
Lunghezza: 35.6 mm
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/-20 V
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 10
Larghezza: 25.4 mm
Moduli IGBT 1200V 150A FL BRIDGE
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