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Email: sales@shunlongwei.com
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FS150R12KE3
Categoria do Produto: Módulos IGBT
Fabricante: Infineon
RoHS: SIM
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Hex
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 1.7 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 205 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 700 W
Pacote / Estojo: EconoPACK
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Embalagem: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Altura: 12 mm
Comprimento: 35.6 mm
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
Largura: 25.4 mm
Módulos IGBT 1200V 150A FL BRIDGE
Shunlongwei inspecionado todos os FS150R12KE3 antes do envio, todos os FS150R12KE3 com 6 meses de garantia.