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Email: sales@shunlongwei.com
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FS150R12KE3
Categoría de producto: Módulos IGBT
Fabricante: Infineon
RoHS: SÍ
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Hexagonal
Colector- Emisor voltaje VCEO Máx .: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 1.7 V
Corriente continua de colector a 25 C: 205 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Pd - Disipación de energía: 700 W
Paquete / Estuche: EconoPACK
Temperatura máxima de funcionamiento: + 125 C
Embalaje: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Altura: 12 mm
Longitud: 35.6 mm
Emisor de puerta máximo voltaje: +/- 20V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 C
Estilo de montaje: tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
Ancho: 25.4 mm
Módulos IGBT 1200V 150A FL BRIDGE
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