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Email: sales@shunlongwei.com
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FS150R12KE3
Catégorie de produit: Modules IGBT
Fabriquant: Infineon
RoHS: OUI
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: hexadécimal
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 1.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 205 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Pd - Dissipation de puissance: 700 W
Colis/caisse : EconoPACK
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Emballage: plateau
Marque: Infineon Technologies
Hauteur : 12 mm
Longueur : 35.6 mm
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Quantité par emballage d'usine: 10
Largeur : 25.4 mm
Modules IGBT 1200V 150A FL BRIDGE
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