#FQD2N100TM FAIRCHILD FQD2N100TM Neue Macht MOSFET, N-Kanal, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL, FQD2N100TM Bilder, FQD2N100TM Preis, #FQD2N100TM Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/fqd2n100tm.html
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Hersteller-Teilenummer: FQD2N100TM
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON HALBLEITER
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Hersteller-Paketcode: 369AS
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.29.00.95
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 0.88
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 160 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 1000 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 1.6 A
Drainstrom-Max (ID): 1.6 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 9 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-252
JESD-30-Code: R-PSSO-G2
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Betriebstemperatur-Min: -55 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Power Verlustleistung-Max (Abs): 50 W
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 6.4 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Power MOSFET, N-Kanal, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON HALBLEITER
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Hersteller-Paketcode: 369AS
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.29.00.95
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 0.88
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 160 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 1000 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 1.6 A
Drainstrom-Max (ID): 1.6 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 9 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-252
JESD-30-Code: R-PSSO-G2
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Betriebstemperatur-Min: -55 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Power Verlustleistung-Max (Abs): 50 W
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 6.4 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
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