#FQD2N100TM FAIRCHILD FQD2N100TM Nuevo poder mosfet, Canal N, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL, imágenes FQD2N100TM, precio FQD2N100TM, # FQD2N100TM proveedor
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/fqd2n100tm.html
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Número de pieza del fabricante: FQD2N100TM
Nombre de la marca: ON Semiconductores
Código Pbfree: Activo
Fabricante de IHS: ON SEMICONDUCTOR
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PSSO-G2
Código del paquete del fabricante: 369AS
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: ON Semiconductor
Rango de riesgo: 0.88
Clasificación energética de avalancha (Eas): 160 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 1000 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 1.6 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 1.6 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 9 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-252
Código JESD-30: R-PSSO-G2
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 2
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Motor Disipación máxima (Abs): 50 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 6.4 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño (Sn)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: SOLO
Horario
Motor MOSFET, Canal N, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500 CARRETES
Nombre de la marca: ON Semiconductores
Código Pbfree: Activo
Fabricante de IHS: ON SEMICONDUCTOR
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PSSO-G2
Código del paquete del fabricante: 369AS
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: ON Semiconductor
Rango de riesgo: 0.88
Clasificación energética de avalancha (Eas): 160 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 1000 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 1.6 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 1.6 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 9 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-252
Código JESD-30: R-PSSO-G2
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 2
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Motor Disipación máxima (Abs): 50 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 6.4 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño (Sn)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: SOLO
Horario
Motor MOSFET, Canal N, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500 CARRETES