#FQD2N100TM FAIRCHILD FQD2N100TM Kuasa Baru mosfet, N-Channel, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL, gambar FQD2N100TM, harga FQD2N100TM, pembekal # FQD2N100TM
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/fqd2n100tm.html
-----------------------
Manufacturer Part Number: FQD2N100TM
Nama Jenama: ON Semikonduktor
Kod Pbfree: Aktif
Pengilang IHs: ON SEMIKONDUKTOR
Penerangan Pakej: KECIL KECIL, R-PSSO-G2
Kod Pakej Pengilang: 369AS
Kod ECCN: EAR99
Kod HTS: 8541.29.00.95
Pengilang: ON Semikonduktor
Peringkat Risiko: 0.88
Penarafan Tenaga Avalanche (Eas): 160 mJ
Sambungan Kes: DRAIN
Konfigurasi: TINGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Pecahan DS voltan-Min: 1000 V
Saliran Arus-Maks (Abs) (ID): 1.6 A
Saliran Arus-Maksimum (ID): 1.6 A
Saliran-Sumber Pada Rintangan-Maks: 9 Ω
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA Semikonduktor
Kod JEDEC-95: TO-252
Kod JESD-30: R-PSSO-G2
Kod JESD-609: e3
Tahap Kepekaan Kelembapan: 1
Bilangan Unsur: 1
Bilangan Terminal: 2
Mod Pengoperasian: MOD PENINGKATAN
Suhu Operasi-Maks: 150 ° C
Suhu Operasi-Min: -55 ° C
Bahan Badan Pakej: PLASTIK / EPOXY
Bentuk Pakej: RECTANGULAR
Gaya Pakej: LUAR KECIL
Suhu Aliran Puncak (Cel): TIDAK DITETAPKAN
Polariti / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Kuasa Pelesapan-Maks (Abs): 50 W
Arus Saluran Pulsed-Max (IDM): 6.4 A
Status Kelayakan: Tidak Berkelayakan
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Lekapan Permukaan: YA
Kemasan Terminal: Timah (Sn)
Borang Terminal: GULL WING
Kedudukan Terminal: TINGGAL
Masa
Kuasa MOSFET, Saluran-N, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL
Nama Jenama: ON Semikonduktor
Kod Pbfree: Aktif
Pengilang IHs: ON SEMIKONDUKTOR
Penerangan Pakej: KECIL KECIL, R-PSSO-G2
Kod Pakej Pengilang: 369AS
Kod ECCN: EAR99
Kod HTS: 8541.29.00.95
Pengilang: ON Semikonduktor
Peringkat Risiko: 0.88
Penarafan Tenaga Avalanche (Eas): 160 mJ
Sambungan Kes: DRAIN
Konfigurasi: TINGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Pecahan DS voltan-Min: 1000 V
Saliran Arus-Maks (Abs) (ID): 1.6 A
Saliran Arus-Maksimum (ID): 1.6 A
Saliran-Sumber Pada Rintangan-Maks: 9 Ω
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA Semikonduktor
Kod JEDEC-95: TO-252
Kod JESD-30: R-PSSO-G2
Kod JESD-609: e3
Tahap Kepekaan Kelembapan: 1
Bilangan Unsur: 1
Bilangan Terminal: 2
Mod Pengoperasian: MOD PENINGKATAN
Suhu Operasi-Maks: 150 ° C
Suhu Operasi-Min: -55 ° C
Bahan Badan Pakej: PLASTIK / EPOXY
Bentuk Pakej: RECTANGULAR
Gaya Pakej: LUAR KECIL
Suhu Aliran Puncak (Cel): TIDAK DITETAPKAN
Polariti / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Kuasa Pelesapan-Maks (Abs): 50 W
Arus Saluran Pulsed-Max (IDM): 6.4 A
Status Kelayakan: Tidak Berkelayakan
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Lekapan Permukaan: YA
Kemasan Terminal: Timah (Sn)
Borang Terminal: GULL WING
Kedudukan Terminal: TINGGAL
Masa
Kuasa MOSFET, Saluran-N, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL