#FQD2N100TM FAIRCHILD FQD2N100TM Yeni Güç mosfet, N-Kanal, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL, FQD2N100TM resimleri, FQD2N100TM fiyatı, #FQD2N100TM tedarikçisi
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/fqd2n100tm.html
-----------------------
Manufacturer Part Number: FQD2N100TM
Marka adı: AÇIK Yarıiletken
Pbfree Kodu: Aktif
Ihs Üreticisi: AÇIK YARI İLETKEN
Paket Açıklaması: KÜÇÜK ÇİZGİ, R-PSSO-G2
Üretici Paket Kodu: 369AS
ECCN Kodu: EAR99
HTS Kodu: 8541.29.00.95
Üretici: ON Semiconductor
Risk Sıralaması: 0.88
Çığ Enerji Derecesi (Eas): 160 mJ
Kasa Bağlantısı: DRAIN
Yapılandırma: DAHİLİ DİYOT İLE TEK
DS Dağılımı Voltaj-Min: 1000 V
Drenaj Akımı-Maks (Abs) (ID): 1.6 A
Drenaj Akımı-Maks. (ID): 1.6 A
Drenaj kaynağı Açık Direnç-Maks: 9 Ω
FET Teknoloji: METAL OKSİT Yarıiletken
JEDEC-95 Kodu: TO-252
JESD-30 Kodu: R-PSSO-G2
JESD-609 Kodu: e3
Nem Duyarlılık Seviyesi: 1
Eleman Sayısı: 1
Terminal Sayısı: 2
Çalışma Modu: GELİŞTİRME MODU
Çalışma Sıcaklığı-Max: 150 ° C
Çalışma Sıcaklığı-Min: -55 ° C
Paket Gövde Malzemesi: PLASTİK / EPOKSİ
Ambalaj Şekli: DİKDÖRTGEN
Paket Stili: KÜÇÜK ANAHTAR
Tepe Yeniden Akış Sıcaklığı (Cel): BELİRTİLMEMİŞTİR
Polarite / Kanal Tipi: N-CHANNEL
Power Yayılma-Maks (Abs): 50 W
Darbeli Tahliye Akımı-Maks. (IDM): 6.4 A
Yeterlilik Durumu: Nitelikli Değil
Alt Kategori: FET Genel Maksat Gücü
Yüzey Montajı: EVET
Terminal Kaplaması: Kalay (Sn)
Terminal Formu: GULL WING
Terminal Konumu: TEK
Zaman
Power MOSFET, N-Kanal, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL
Marka adı: AÇIK Yarıiletken
Pbfree Kodu: Aktif
Ihs Üreticisi: AÇIK YARI İLETKEN
Paket Açıklaması: KÜÇÜK ÇİZGİ, R-PSSO-G2
Üretici Paket Kodu: 369AS
ECCN Kodu: EAR99
HTS Kodu: 8541.29.00.95
Üretici: ON Semiconductor
Risk Sıralaması: 0.88
Çığ Enerji Derecesi (Eas): 160 mJ
Kasa Bağlantısı: DRAIN
Yapılandırma: DAHİLİ DİYOT İLE TEK
DS Dağılımı Voltaj-Min: 1000 V
Drenaj Akımı-Maks (Abs) (ID): 1.6 A
Drenaj Akımı-Maks. (ID): 1.6 A
Drenaj kaynağı Açık Direnç-Maks: 9 Ω
FET Teknoloji: METAL OKSİT Yarıiletken
JEDEC-95 Kodu: TO-252
JESD-30 Kodu: R-PSSO-G2
JESD-609 Kodu: e3
Nem Duyarlılık Seviyesi: 1
Eleman Sayısı: 1
Terminal Sayısı: 2
Çalışma Modu: GELİŞTİRME MODU
Çalışma Sıcaklığı-Max: 150 ° C
Çalışma Sıcaklığı-Min: -55 ° C
Paket Gövde Malzemesi: PLASTİK / EPOKSİ
Ambalaj Şekli: DİKDÖRTGEN
Paket Stili: KÜÇÜK ANAHTAR
Tepe Yeniden Akış Sıcaklığı (Cel): BELİRTİLMEMİŞTİR
Polarite / Kanal Tipi: N-CHANNEL
Power Yayılma-Maks (Abs): 50 W
Darbeli Tahliye Akımı-Maks. (IDM): 6.4 A
Yeterlilik Durumu: Nitelikli Değil
Alt Kategori: FET Genel Maksat Gücü
Yüzey Montajı: EVET
Terminal Kaplaması: Kalay (Sn)
Terminal Formu: GULL WING
Terminal Konumu: TEK
Zaman
Power MOSFET, N-Kanal, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK, 2500-REEL