#FQD2N100TM フェアチャイルド FQD2N100TM ニューパワー モスフェット、N チャネル、QFET®、1000 V、1.6 A、9 Ω、DPAK、2500 リール、FQD2N100TM 写真、FQD2N100TM 価格、#FQD2N100TM サプライヤー
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/fqd2n100tm.html
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Manufacturer Part Number: FQD2N100TM
ブランド名：ON 半導体
Pbfreeコード：アクティブ
Ihsメーカー：ON 半導体
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PSSO-G2
メーカーパッケージコード：369AS
ECCNコード：EAR99
HTSコード：8541.29.00.95
メーカー：オン・セミコンダクター
リスクランク：0.88
アバランチエネルギー定格（Eas）：160 mJ
ケース接続：DRAIN
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：1000 V
ドレイン電流-最大（Abs）（ID）：1.6 A
ドレイン電流-最大（ID）：1.6 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：9Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JEDEC-95コード：TO-252
JESD-30コード：R-PSSO-G2
JESD-609コード：e3
水分感度レベル：1
要素数：1
ターミナル数：2
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
動作温度-最小：-55°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：指定なし
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
出力 消費最大 (絶対): 50 W
パルスドレイン電流-最大（IDM）：6.4 A
資格ステータス：資格なし
サブカテゴリ：FET汎用電源
表面実装：はい
ターミナルフィニッシュ：スズ（Sn）
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：SINGLE
Time
出力 MOSFET、N チャネル、QFET®、1000 V、1.6 A、9 Ω、DPAK、2500 リール
ブランド名：ON 半導体
Pbfreeコード：アクティブ
Ihsメーカー：ON 半導体
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PSSO-G2
メーカーパッケージコード：369AS
ECCNコード：EAR99
HTSコード：8541.29.00.95
メーカー：オン・セミコンダクター
リスクランク：0.88
アバランチエネルギー定格（Eas）：160 mJ
ケース接続：DRAIN
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：1000 V
ドレイン電流-最大（Abs）（ID）：1.6 A
ドレイン電流-最大（ID）：1.6 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：9Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JEDEC-95コード：TO-252
JESD-30コード：R-PSSO-G2
JESD-609コード：e3
水分感度レベル：1
要素数：1
ターミナル数：2
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
動作温度-最小：-55°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：指定なし
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
出力 消費最大 (絶対): 50 W
パルスドレイン電流-最大（IDM）：6.4 A
資格ステータス：資格なし
サブカテゴリ：FET汎用電源
表面実装：はい
ターミナルフィニッシュ：スズ（Sn）
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：SINGLE
Time
出力 MOSFET、N チャネル、QFET®、1000 V、1.6 A、9 Ω、DPAK、2500 リール