Der Fuji 6MBP150NA060 ist ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) Modulen mit spezifischen Höchstwerten und Eigenschaften. Hier die wichtigsten Spezifikationen:
Absolute maximale Nennwerte (Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben):
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 600 V – Dies ist die maximale Spannung, die der IGBT zwischen Kollektor und Emitter verarbeiten kann.
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20 V – Die maximal zulässige Gate-Emitter-Spannung.
- Kollektorstrom (Ic Dauerstrom Tc=80 °C): 150 A – Der maximale Dauerkollektorstrom, wenn die Gehäusetemperatur 80 °C beträgt.
- Kollektorstrom (Icp 1 ms Tc=80 °C): 300 A – Der maximale Kollektorstrom für einen 1 ms-Impuls, wenn die Gehäusetemperatur 80 °C beträgt.
- Kollektorverlustleistung (PC): 595 W – Die maximale Verlustleistung, die das Modul verarbeiten kann.
- Isolationsspannung (VIsol, AC 1 Minute): 2500 V – Dies ist die Isolationsspannung zwischen Eingang und Ausgang des Moduls für 1 Minute.
- Betriebssperrschichttemperatur (Tj): +150 °C – Die empfohlene maximale Betriebssperrschichttemperatur.
- Lagertemperatur (Tstg): -40 bis +125 °C – der Temperaturbereich für die Lagerung des Moduls, wenn es nicht verwendet wird.
- Drehmoment der Befestigungsschrauben: 3.5 N·m – Das empfohlene Drehmoment für Befestigungsschrauben.