Il Fuji 6MBP150NA060 è un IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) modulo con rating massimi e caratteristiche specifiche. Ecco le specifiche principali:
Valori nominali massimi assoluti (Tc=25°C se non diversamente specificato):
- Tensione collettore-emettitore (Vces): 600 V – Questa è la tensione massima che l'IGBT può gestire tra il collettore e l'emettitore.
- Tensione gate-emettitore (VGES): ±20 V – La massima tensione gate-emettitore consentita.
- Corrente di collettore (Ic continua Tc=80°C): 150 A – La massima corrente continua di collettore quando la temperatura dell'involucro è di 80°C.
- Corrente di collettore (Icp 1ms Tc=80°C): 300A – La corrente massima di collettore per un impulso di 1ms quando la temperatura della custodia è 80°C.
- Dissipazione di potenza del collettore (Pc): 595 W – La massima dissipazione di potenza che il modulo può gestire.
- Tensione di isolamento (VIsol, CA 1 minuto): 2500 V – Questa è la tensione di isolamento tra l'ingresso e l'uscita del modulo per 1 minuto.
- Temperatura di giunzione operativa (Tj): +150°C – La temperatura massima di giunzione operativa consigliata.
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): da -40 a +125°C – L'intervallo di temperatura per conservare il modulo quando non è in uso.
- Coppia delle viti di montaggio: 3.5 N·m – La coppia consigliata per le viti di montaggio.