3 /SemiMedia/ – Die Infineon Technologies AG gab bekannt, dass sie am 2. März eine endgültige Vereinbarung mit GaN Systems Inc. zur Übernahme von GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar unterzeichnet hat. GaN Systems ist ein globales Unternehmen Technologie führend in der Entwicklung von GaN-basierten Lösungen für die Energieumwandlung. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Ottawa, Kanada, und beschäftigt mehr als 200 Mitarbeiter.
„Die GaN-Technologie ebnet den Weg für energieeffizientere und CO 2 -sparende Lösungen, die die Dekarbonisierung unterstützen. Die Einführung in Anwendungen wie mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solar-Wechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge steht an einem Wendepunkt und führt zu einem dynamischen Marktwachstum“, sagte Jochen Hanebeck, CEO von Infineon. „Die geplante Übernahme von GaN Systems wird unsere GaN-Roadmap erheblich beschleunigen, basierend auf unübertroffenen F&E-Ressourcen, Anwendungsverständnis und Kundenprojektpipeline. Gemäß unserer Strategie wird der Zusammenschluss die Führungsposition von Infineon im Bereich Power Systems durch die Beherrschung aller relevanten Energietechnologien, sei es auf Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid, weiter stärken.“
Jim Witham, CEO von GaN Systems, sagte: „Das Team von GaN Systems freut sich über die Zusammenarbeit mit Infineon, um hochgradig differenzierte Kundenangebote zu schaffen, die auf der Zusammenführung komplementärer Stärken basieren. Mit unserer gemeinsamen Expertise in der Bereitstellung überlegener Lösungen werden wir das Potenzial von GaN optimal nutzen. Die Kombination der Foundry-Korridore von GaN Systems mit der internen Fertigungskapazität von Infineon ermöglicht ein maximales Wachstumspotenzial, um die beschleunigte Einführung von GaN in einer Vielzahl unserer Zielmärkte zu unterstützen. Ich bin sehr stolz auf das, was GaN Systems bisher erreicht hat, und kann es kaum erwarten, gemeinsam mit Infineon das nächste Kapitel zu schreiben. Als integrierter Gerätehersteller mit einer breiten Technologiekompetenz ermöglicht uns Infineon, unser volles Potenzial auszuschöpfen.“
Als Material mit großer Bandlücke bietet GaN Kundennutzen durch höhere Leistungsdichte, höhere Effizienz und Größenreduzierung, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften ermöglichen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren, wodurch GaN für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist. Bis 2027 erwarten Marktanalysten, dass der GaN-Umsatz für Energieanwendungen um 56 % CAGR auf ca. 2 Milliarden US-Dollar (Quelle: Yole, Compound Halbleiter Marktmonitor-Modul I Q4 2022). Damit entwickelt sich GaN neben Silizium und Siliziumkarbid zu einem Schlüsselmaterial für Leistungshalbleiter, gekoppelt mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen. Im Februar 2022 kündigte Infineon an, die große Bandbreitenlücke durch die Investition von mehr als 2 Milliarden Euro in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim, Malaysia, zu verdoppeln und so seine Marktposition zu stärken. Die ersten Wafer werden die Fabrik in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und die bestehenden Produktionskapazitäten von Infineon mit großer Bandlücke in Villach, Österreich, erweitern.