3 de marzo de 2023 /semimedia/ — Infineon Technologies AG anunció que firmó un acuerdo definitivo con GaN Systems Inc. el 2 de marzo para adquirir GaN Systems por 830 millones de dólares. GaN Systems es una empresa global la tecnología líder en el desarrollo de soluciones basadas en GaN para conversión de energía. La empresa tiene su sede en Ottawa, Canadá, y cuenta con más de 200 empleados.
“La tecnología GaN está allanando el camino para soluciones más eficientes energéticamente y que ahorran CO2 que respaldan la descarbonización. La adopción en aplicaciones como carga móvil, suministros de energía para centros de datos, inversores solares residenciales y cargadores a bordo para vehículos eléctricos está en un punto de inflexión, lo que lleva a un crecimiento dinámico del mercado”, dijo Jochen Hanebeck, director ejecutivo de Infineon. “La adquisición planificada de GaN Systems acelerará significativamente nuestra hoja de ruta de GaN, basada en recursos de I+D inigualables, comprensión de aplicaciones y cartera de proyectos de clientes. Siguiendo nuestra estrategia, la combinación fortalecerá aún más el liderazgo de Infineon en Power Systems a través del dominio de todas las tecnologías de energía relevantes, ya sea en silicio, carburo de silicio o nitruro de galio”.
Jim Witham, director ejecutivo de GaN Systems, dijo: “El equipo de GaN Systems está entusiasmado por asociarse con Infineon para crear ofertas de clientes altamente diferenciadoras, basadas en reunir fortalezas complementarias. Con nuestra experiencia conjunta en el suministro de soluciones superiores, aprovecharemos de manera óptima el potencial de GaN. La combinación de los corredores de fundición de GaN Systems con la capacidad de fabricación interna de Infineon permite la máxima capacidad de crecimiento para atender la adopción acelerada de GaN en una amplia gama de nuestros mercados objetivo. Estoy muy orgulloso de lo que GaN Systems ha logrado hasta ahora y no puedo esperar para ayudar a escribir el próximo capítulo junto con Infineon. Como fabricante de dispositivos integrados con una amplia capacidad tecnológica, Infineon nos permite liberar todo nuestro potencial”.
Como material de banda prohibida amplia, GaN ofrece valor al cliente por una mayor densidad de potencia, una mayor eficiencia y reducciones de tamaño, especialmente en frecuencias de conmutación más altas. Estas propiedades permiten ahorros de energía y factores de forma más pequeños, lo que hace que GaN sea adecuado para una amplia gama de aplicaciones. Para 2027, los analistas de mercado esperan que los ingresos de GaN para aplicaciones de energía crezcan en un 56% CAGR a aprox. US$2 mil millones (fuente: Yole, Compound Semiconductores Monitor de mercado-Módulo I Q4 2022). Como tal, GaN se está convirtiendo en un material clave para los semiconductores de potencia, junto con el silicio y el carburo de silicio, y junto con nuevas topologías, como Hybrid Flyback e implementaciones multinivel. En febrero de 2022, Infineon anunció que duplicaría su apuesta por la banda prohibida amplia invirtiendo más de 2 millones de euros en una nueva fábrica frontend en Kulim, Malasia, fortaleciendo su posición en el mercado. Las primeras obleas saldrán de la fábrica en la segunda mitad de 2024, lo que se sumará a las capacidades de fabricación de banda prohibida amplia existentes de Infineon en Villach, Austria.