3 Mac 2023 /SemiMedia/ — Infineon Technologies AG mengumumkan bahawa ia telah menandatangani perjanjian muktamad dengan GaN Systems Inc. pada 2 Mac untuk memperoleh GaN Systems pada harga $830 juta. GaN Systems adalah global teknologi peneraju dalam pembangunan penyelesaian berasaskan GaN untuk penukaran kuasa. Syarikat itu beribu pejabat di Ottawa, Kanada, dan mempunyai lebih daripada 200 pekerja.
“Teknologi GaN membuka jalan untuk penyelesaian yang lebih cekap tenaga dan penjimatan CO 2 yang menyokong penyahkarbonan. Penggunaan dalam aplikasi seperti pengecasan mudah alih, bekalan kuasa pusat data, penyongsang suria kediaman dan pengecas atas kapal untuk kenderaan elektrik berada pada titik kritikal, yang membawa kepada pertumbuhan pasaran yang dinamik,” kata Jochen Hanebeck, Ketua Pegawai Eksekutif Infineon. “Pemerolehan GaN Systems yang dirancang akan mempercepatkan pelan hala tuju GaN kami dengan ketara, berdasarkan sumber R&D yang tiada tandingan, pemahaman aplikasi dan saluran paip projek pelanggan. Mengikuti strategi kami, gabungan itu akan mengukuhkan lagi kepimpinan Infineon dalam Sistem Kuasa melalui penguasaan semua teknologi kuasa yang berkaitan, sama ada pada silikon, silikon karbida atau galium nitrida.”
Jim Witham, Ketua Pegawai Eksekutif GaN Systems, berkata: "Pasukan GaN Systems teruja untuk bekerjasama dengan Infineon untuk mencipta tawaran pelanggan yang sangat membezakan, berdasarkan menghimpunkan kekuatan yang saling melengkapi. Dengan kepakaran bersama kami dalam menyediakan penyelesaian unggul, kami akan memanfaatkan potensi GaN secara optimum. Menggabungkan koridor faundri GaN Systems dengan kapasiti pembuatan dalaman Infineon membolehkan keupayaan pertumbuhan maksimum untuk memberi perkhidmatan mempercepatkan penggunaan GaN dalam julat luas pasaran sasaran kami. Saya sangat berbangga dengan apa yang telah dicapai oleh GaN Systems setakat ini dan tidak sabar untuk membantu menulis bab seterusnya bersama-sama dengan Infineon. Sebagai pengeluar peranti bersepadu dengan keupayaan teknologi yang luas, Infineon membolehkan kami melancarkan potensi penuh kami.”
Sebagai bahan jurang jalur yang luas, GaN menawarkan nilai pelanggan dengan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi, kecekapan yang lebih tinggi dan pengurangan saiz, terutamanya pada frekuensi pensuisan yang lebih tinggi. Ciri-ciri ini membolehkan penjimatan tenaga dan faktor bentuk yang lebih kecil, menjadikan GaN sesuai untuk pelbagai aplikasi. Menjelang 2027, penganalisis pasaran menjangkakan hasil GaN untuk aplikasi kuasa meningkat sebanyak 56% CAGR kepada lebih kurang. AS$2 bilion (sumber: Yole, Compound Semikonduktor Pemantau Pasaran-Modul S4 I 2022). Oleh itu, GaN menjadi bahan utama untuk semikonduktor kuasa, bersama silikon dan silikon-karbid, dan ditambah pula dengan topologi baharu, seperti Hybrid Flyback dan pelaksanaan pelbagai peringkat. Pada Februari 2022, Infineon mengumumkan menggandakan jurang lebar dengan melabur lebih daripada €2 bilion dalam fabrik hadapan baharu di Kulim, Malaysia, mengukuhkan kedudukan pasarannya. Wafer pertama akan meninggalkan fab pada separuh kedua 2024, menambah kapasiti pembuatan jurang jalur lebar Infineon yang sedia ada di Villach, Austria.