3º de março de 2023 /Semimídia/ — A Infineon Technologies AG anunciou que assinou um acordo definitivo com a GaN Systems Inc. em 2 de março para adquirir a GaN Systems por US$ 830 milhões. GaN Systems é uma empresa global tecnologia líder no desenvolvimento de soluções baseadas em GaN para conversão de energia. A empresa está sediada em Ottawa, Canadá, e conta com mais de 200 funcionários.
“A tecnologia GaN está abrindo caminho para soluções mais eficientes em termos de energia e de economia de CO 2 que apoiam a descarbonização. A adoção em aplicações como carregamento móvel, fontes de alimentação de data centers, inversores solares residenciais e carregadores integrados para veículos elétricos está no ponto crítico, levando a um crescimento dinâmico do mercado”, disse Jochen Hanebeck, CEO da Infineon. “A aquisição planejada da GaN Systems acelerará significativamente nosso roteiro de GaN, com base em recursos inigualáveis de P&D, compreensão de aplicativos e pipeline de projetos de clientes. Seguindo nossa estratégia, a combinação fortalecerá ainda mais a liderança da Infineon em sistemas de energia por meio do domínio de todas as tecnologias de energia relevantes, seja em silício, carboneto de silício ou nitreto de gálio”.
Jim Witham, CEO da GaN Systems, disse: “A equipe da GaN Systems está entusiasmada com a parceria com a Infineon para criar ofertas altamente diferenciadas para os clientes, com base na união de pontos fortes complementares. Com nossa experiência conjunta no fornecimento de soluções superiores, aproveitaremos o potencial do GaN de maneira otimizada. A combinação dos corredores de fundição da GaN Systems com a capacidade de fabricação interna da Infineon permite capacidade máxima de crescimento para atender à adoção acelerada de GaN em uma ampla gama de nossos mercados-alvo. Estou muito orgulhoso do que a GaN Systems realizou até agora e mal posso esperar para ajudar a escrever o próximo capítulo junto com a Infineon. Como fabricante de dispositivos integrados com ampla capacidade tecnológica, a Infineon nos permite liberar todo o nosso potencial.”
Como um material de largura de banda larga, o GaN oferece valor ao cliente por maior densidade de potência, maior eficiência e reduções de tamanho, especialmente em frequências de comutação mais altas. Essas propriedades permitem economia de energia e fatores de forma menores, tornando o GaN adequado para uma ampla gama de aplicações. Até 2027, os analistas de mercado esperam que a receita de GaN para aplicações de energia cresça 56% CAGR para aprox. US$ 2 bilhões (fonte: Yole, Compound Semicondutores Monitor de Mercado-Módulo No quarto trimestre de 4). Como tal, o GaN está se tornando um material chave para semicondutores de potência, juntamente com o silício e o carboneto de silício, e acoplado a novas topologias, como Hybrid Flyback e implementações multinível. Em fevereiro de 2022, a Infineon anunciou a duplicação do amplo bandgap, investindo mais de 2022 mil milhões de euros numa nova fábrica front-end em Kulim, na Malásia, fortalecendo a sua posição no mercado. Os primeiros wafers sairão da fábrica no segundo semestre de 2, somando-se às amplas capacidades de fabricação existentes da Infineon em Villach, Áustria.