3 maart 2023 /Semimedia/ — Infineon Technologies AG heeft aangekondigd dat het op 2 maart een definitieve overeenkomst heeft getekend met GaN Systems Inc. om GaN Systems over te nemen voor $830 miljoen. GaN Systems is een mondiaal bedrijf technologie leider in de ontwikkeling van GaN-gebaseerde oplossingen voor stroomconversie. Het bedrijf heeft zijn hoofdkantoor in Ottawa, Canada, en heeft meer dan 200 medewerkers.
“GaN-technologie maakt de weg vrij voor energie-efficiëntere en CO 2 -besparende oplossingen die decarbonisatie ondersteunen. De acceptatie in toepassingen zoals mobiel opladen, voedingen voor datacenters, residentiële omvormers voor zonne-energie en ingebouwde opladers voor elektrische voertuigen bevindt zich op het omslagpunt, wat leidt tot een dynamische marktgroei”, aldus Jochen Hanebeck, CEO van Infineon. “De geplande overname van GaN Systems zal onze GaN-roadmap aanzienlijk versnellen, gebaseerd op ongeëvenaarde R&D-middelen, kennis van toepassingen en pijplijn van klantprojecten. Volgens onze strategie zal de combinatie het leiderschap van Infineon in Power Systems verder versterken door beheersing van alle relevante energietechnologieën, of het nu gaat om silicium, siliciumcarbide of galliumnitride.”
Jim Witham, CEO van GaN Systems, zei: “Het team van GaN Systems is enthousiast over de samenwerking met Infineon om sterk onderscheidende klantenaanbiedingen te creëren, gebaseerd op het samenbrengen van complementaire krachten. Met onze gezamenlijke expertise in het leveren van superieure oplossingen, zullen we het potentieel van GaN optimaal benutten. Door de gieterijcorridors van GaN Systems te combineren met de interne productiecapaciteit van Infineon, kunnen we maximaal groeien om de versnelde acceptatie van GaN in een breed scala van onze doelmarkten te ondersteunen. Ik ben erg trots op wat GaN Systems tot nu toe heeft bereikt en kan niet wachten om samen met Infineon het volgende hoofdstuk te helpen schrijven. Als fabrikant van geïntegreerde apparaten met een brede technologische capaciteit stelt Infineon ons in staat om ons volledige potentieel te ontketenen.”
Als een materiaal met brede bandgap biedt GaN klantwaarde door een hogere vermogensdichtheid, hogere efficiëntie en kleinere afmetingen, vooral bij hogere schakelfrequenties. Deze eigenschappen maken energiebesparingen en kleinere vormfactoren mogelijk, waardoor GaN geschikt is voor een breed scala aan toepassingen. Tegen 2027 verwachten marktanalisten dat de GaN-inkomsten voor stroomtoepassingen met 56% CAGR zullen groeien tot ongeveer. US $ 2 miljard (bron: Yole, Compound Halfgeleider Marktmonitor-Module I 4e kwartaal 2022). Als zodanig wordt GaN een belangrijk materiaal voor vermogenshalfgeleiders, naast silicium en siliciumcarbide, en gekoppeld aan nieuwe topologieën, zoals Hybrid Flyback en implementaties op meerdere niveaus. In februari 2022 kondigde Infineon een verdubbeling van de brede bandgap aan door meer dan € 2 miljard te investeren in een nieuwe frontendfabriek in Kulim, Maleisië, waardoor zijn marktpositie werd versterkt. De eerste wafers zullen de fabriek in de tweede helft van 2024 verlaten, wat een aanvulling zal zijn op de bestaande productiecapaciteiten van Infineon met grote bandbreedte in Villach, Oostenrijk.