Wir stellen vor: die Siliziummodule BSM50GD120DN2E3226 von Infineon, eine Produktkategorie des renommierten Herstellers Infineon. Diese Module sind mit einer Sechskantkonfiguration ausgestattet und bieten eine hervorragende Leistung für verschiedene Anwendungen. Hier sind einige wichtige Spezifikationen des Produkts:
Sales Email: sales@shunlongwei.com
- Hersteller: Infineon
- Produktkategorie: IGBT Module
- Sammler-Emitter Spannung (VCEO) Max: 1200 V
- Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.5V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 °C: 50 A
- Gate-Emitter-Leckstrom: 200 nA
- Verlustleistung (Pd): 350 W
- Verpackung/Karton: EconoPACK 2
- Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
- Verpackung: Tablett
- Höhe: 17mm
- Länge: 107.5mm
- Technologie: Si (Silizium)
- Breite: 45.5mm
- Montagestil: Gehäusemontage
- Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Diese N-CH (N-Kanal) IGBT Module eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen, die eine hohe Leistung und effiziente Schaltfähigkeiten erfordern.