Introductie van de Infineon BSM50GD120DN2E3226 siliciummodules, een productcategorie aangeboden door Infineon, een gerenommeerde fabrikant. Deze modules zijn ontworpen met hex-configuratie en bieden uitstekende prestaties voor verschillende toepassingen. Hier zijn enkele belangrijke specificaties van het product:
Verkoop Email: sales@shunlongwei.com
- Fabrikant: Infineon
- Product categorie: IGBT Modules
- Collector-zender spanning (VCEO) Maximaal: 1200 V
- Verzamelaar-emitterverzadiging spanning: 2.5V
- Continue collectorstroom bij 25°C: 50A
- Gate-Emitter Lekstroom: 200nA
- Vermogensdissipatie (Pd): 350W
- Verpakking/doos: EconoPACK 2
- Maximale bedrijfstemperatuur: +150°C
- Verpakking: lade
- Lengte: 17mm
- Lengte: 107.5mm
- Technologie: Si (silicium)
- Breedte: 45.5mm
- Montagestijl: chassismontage
- Maximale poortemitterspanning: 20V
Deze N-CH (N-kanaal) IGBT modules zijn geschikt voor een breed scala aan toepassingen die een hoog vermogen en efficiënte schakelmogelijkheden vereisen.