Giới thiệu Mô-đun Silicon Infineon BSM50GD120DN2E3226, một danh mục sản phẩm được cung cấp bởi Infineon, một nhà sản xuất nổi tiếng. Các mô-đun này được thiết kế với cấu hình hex, mang lại hiệu suất tuyệt vời cho các ứng dụng khác nhau. Dưới đây là một số thông số kỹ thuật chính của sản phẩm:
Bán hàng Email: sales@shunlongwei.com
- Nhà sản xuất: Infineon
- Danh Mục Sản Phẩm: IGBT Modules
- Bộ thu-phát Vôn (VCEO) Tối đa: 1200V
- Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 2.5V
- Dòng Collector liên tục ở 25°C: 50A
- Rò rỉ Gate-Emitter hiện tại: 200nA
- Tản điện (Pd): 350W
- Gói/Hộp: EconoPACK 2
- Nhiệt độ hoạt động tối đa: +150°C
- Bao bì: Khay
- Chiều cao: 17mm
- Thời lượng: 107.5mm
- Công nghệ: Si (Silic)
- Chiều rộng: 45.5mm
- Kiểu lắp: Gắn khung
- Điện áp phát cổng tối đa: 20V
Những N-CH (N-kênh) IGBT các mô-đun phù hợp với nhiều ứng dụng đòi hỏi khả năng chuyển mạch hiệu quả và công suất cao.