Presentamos los módulos de silicio Infineon BSM50GD120DN2E3226, una categoría de productos que ofrece Infineon, un fabricante de renombre. Estos módulos están diseñados con configuración hexadecimal, proporcionando un excelente rendimiento para diversas aplicaciones. Aquí hay algunas especificaciones clave del producto:
Ventas Email: sales@shunlongwei.com
- Fabricante: Infineon
- Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
- Colector-Emisor voltaje (VCEO) Máx.: 1200V
- Saturación colector-emisor voltaje: 2.5V
- Corriente de Colector Continua a 25°C: 50A
- Corriente de fuga del emisor de puerta: 200 nA
- Disipación de potencia (Pd): 350W
- Paquete/Estuche: EconoPACK 2
- Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C
- Embalaje: Bandeja
- Altura: 17mm
- Longitud: 107.5mm
- Tecnología: Si (silicio)
- Anchura: 45.5mm
- Estilo de montaje: montaje en chasis
- Voltaje máximo del emisor de puerta: 20V
Estos N-CH (canal N) IGBT Los módulos son adecuados para una amplia gama de aplicaciones que requieren alta potencia y capacidades de conmutación eficientes.