Infineon Technologies. Es wurde speziell für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt. Hier sind einige wichtige Spezifikationen und Funktionen des FP15R12YT3:
Hersteller: Infineon Technologies
Teilenummer: FP15R12YT3
Power Modul Typ: IGBT (Bipolar mit isoliertem Gate Transistor)
Maximaler Kollektorstrom (IC): 15A
Sammler-Emitter Spannung (VCE): 1200 V
Gesamtverlustleistung (Ptot): 150 W
Gate-Emitter Spannung (VGES): +/-20V
Temperaturbereich: -40 bis 150 °C
Gewicht: Keine Angabe
Zu den bemerkenswerten Merkmalen des FP15R12YT3 gehören:
Hochspannungsfähigkeit zur Handhabung von Hochleistungsanwendungen.
Geringe Leitungs- und Schaltverluste für verbesserte Effizienz.
Kompaktes und robustes Design für zuverlässigen Betrieb.
Geeignet für verschiedene Anwendungen, einschließlich Motorsteuerung, Netzteile und Wechselrichter.