Tecnologias Infineon. Ele é projetado especificamente para aplicações de comutação de alta potência. Aqui estão algumas das principais especificações e recursos do FP15R12YT3:
Fabricante: Infineon Technologies
Número da peça: FP15R12YT3
Potência Módulo Tipo: IGBT (portão isolado bipolar Transistor)
Corrente Máxima do Coletor (IC): 15A
Coletor-Emissor Voltagem (VCE): 1200 V
Dissipação de potência total (Ptot): 150W
Emissor de porta Voltagem (VGES): +/-20V
Faixa de temperatura: -40 a 150°C
Peso: Não especificado
Alguns recursos notáveis do FP15R12YT3 incluem:
Capacidade de alta tensão para lidar com aplicações de alta potência.
Baixas perdas de condução e comutação para maior eficiência.
Design compacto e robusto para operação confiável.
Adequado para várias aplicações, incluindo controle de motores, fontes de alimentação e inversores.