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Beschreibung: Infineon IGBT MOD™-Module wurden speziell für Hochfrequenzanwendungen entwickelt und unterstützen 30 kHz für hart schaltende Anwendungen und 60 bis 70 kHz für sanft schaltende Anwendungen. Jede Modulen besteht aus einer Halbbrückenkonfiguration mit zwei IGBT Transistoren, mit jedem Transistor Ausgestattet mit einer umgekehrt geschalteten Freilaufdiode mit superschneller Wiederherstellung. Das Design gewährleistet eine vollständige Isolierung aller Komponenten und Verbindungen von der Kühlgrundplatte und vereinfacht so die Systemmontage und das Wärmemanagement.
Hauptmerkmale
Niedrige ESW (aus)
Diskrete, superschnelle Freilaufdiode
Isolierte Grundplatte für einfaches Wärmesenken
Sondermaschinen:
Stromversorgungen
Induktionsheizung
Schweißer
Absolute Maximalwerte bei Tj = 25 °C, sofern nicht anders angegeben:
Sammler-Emitter Spannung (VGE = 0 V): VCES = 1200 Volt
Gate-Emitter Spannung (VCE = 0V): VGES = ±20 Volt
Kollektorstrom (DC, TC = 125 °C)2,4: IC = 400 Ampere
Kollektorstrom (Impuls, repetitiv)3: ICRM = 800 Ampere Gesamtverlustleistung (TC = 25 °C)2,*4: Ptot = 2450 Watt
Emitterstrom2IE11000: Ampere
Emitterstrom (Impuls, repetitiv)3: IERM800 Ampere
Isolationsspannung (Klemmen zur Grundplatte, RMS, f = 60 Hz, AC 1 Minute): Visol = 2500 Volt
Maximale Sperrschichttemperatur: Tj(max) = 175 °C
Maximale Gehäusetemperatur: TC(max) = 125 °C
Betriebsübergangstemperatur: Tj(op) = -40 bis +150 °C
Lagertemperatur: Tstg = -40 bis +125 °C