Penjualan Email: sales@shunlongwei.com
Deskripsi: Infineon IGBT Modul MOD™ dirancang khusus untuk aplikasi frekuensi tinggi, mendukung 30 kHz untuk aplikasi hard switching dan 60 hingga 70 kHz untuk aplikasi soft switching. Setiap modul terdiri dari konfigurasi setengah jembatan yang menampilkan dua IGBT Transistor, dengan masing-masing Transistor dilengkapi dengan dioda roda bebas pemulihan super cepat yang terhubung terbalik. Desainnya memastikan isolasi lengkap semua komponen dan interkoneksi dari pelat dasar peredam panas, menyederhanakan perakitan sistem dan manajemen termal.
Fitur Utama:
ESW rendah (mati)
Diskrit Dioda Roda Bebas Pemulihan Super Cepat
Baseplate Terisolasi untuk Pendingin yang Mudah
aplikasi:
Power Supplies
Pemanasan induksi
Tukang las
Peringkat Maksimum Mutlak pada Tj = 25°C, kecuali ditentukan lain:
Kolektor-Emitor tegangan (VGE = 0V): VCES = 1200 Volt
Gerbang-Emitter tegangan (VCE = 0V): VGES = ±20 Volt
Arus Kolektor (DC, TC = 125°C)2,4: IC = 400 Ampere
Kolektor Arus (Pulsa, Berulang)3: ICRM = 800 Ampere Pembuangan Daya Total (TC = 25°C)2,*4: Ptot = 2450 Watt
Emitor Current2IE11000: Ampere
Arus Emitor (Pulsa, Berulang)3: IERM800 Ampere
Tegangan Isolasi (Terminal ke Baseplate, RMS, f = 60Hz, AC 1 menit): Visol = 2500 Volt
Suhu Persimpangan Maksimum: Tj(maks) = 175 °C
Suhu Kasing Maksimum: TC(maks) = 125 °C
Temperatur Pengoperasian Persimpangan: Tj(op) = -40 hingga +150 °C
Suhu Penyimpanan: Tstg = -40 hingga +125 °C