Ventes Email: sales@shunlongwei.com
Descriptif : Infineon IGBT Les modules MOD™ sont spécialement conçus pour les applications haute fréquence, prenant en charge 30 kHz pour les applications de commutation dure et 60 à 70 kHz pour les applications de commutation douce. Chaque module comprend une configuration en demi-pont comprenant deux IGBT Transistors, chacun Transistor équipé d'une diode de roue libre à récupération ultra-rapide connectée en marche arrière. La conception assure une isolation complète de tous les composants et interconnexions de la plaque de base du dissipateur thermique, simplifiant l'assemblage du système et la gestion thermique.
Principales caractéristiques:
ESW faible (désactivé)
Diode de roue libre à récupération ultra-rapide discrète
Plaque de base isolée pour une dissipation thermique facile
Applications :
Alimentations
Chauffage par induction
Soudeurs
Valeurs nominales maximales absolues à Tj = 25 °C, sauf indication contraire :
Collecteur-émetteur Tension (VGE = 0V) : VCES = 1200V
Porte-émetteur Tension (VCE = 0V) : VGES = ±20V
Courant de collecteur (DC, TC = 125°C)2,4: IC = 400 Ampères
Courant de collecteur (impulsionnel, répétitif)3 : ICRM = 800 ampères de puissance totale dissipée (TC = 25°C)2,*4 : Ptot = 2450 Watts
Courant de l'émetteur2IE11000 : ampères
Courant d'émetteur (impulsionnel, répétitif)3 : IERM800 ampères
Tension d'isolement (bornes à la plaque de base, RMS, f = 60 Hz, AC 1 minute) : Visol = 2500 XNUMX volts
Température de jonction maximale : Tj(max) = 175 °C
Température maximale du boîtier : TC(max) = 125 °C
Température de jonction de fonctionnement : Tj(op) = -40 à +150 °C
Température de stockage : Tstg = -40 à +125 °C