Bán hàng Email: sales@shunlongwei.com
Mô tả: Infineon IGBT Mô-đun MOD™ được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng tần số cao, hỗ trợ 30 kHz cho các ứng dụng chuyển mạch cứng và 60 đến 70 kHz cho các ứng dụng chuyển mạch mềm. Mỗi mô-đun bao gồm một cấu hình nửa cầu có hai IGBT Các bóng bán dẫn, với mỗi Transistor được trang bị một diode bánh xe tự do phục hồi siêu nhanh được kết nối ngược. Thiết kế đảm bảo cách ly hoàn toàn tất cả các thành phần và kết nối với tấm đế tản nhiệt, giúp đơn giản hóa việc lắp ráp hệ thống và quản lý nhiệt.
Các tính năng chính:
ESW thấp (tắt)
Diode bánh xe miễn phí phục hồi siêu nhanh rời rạc
Tấm đế cách ly giúp tản nhiệt dễ dàng
Ứng dụng
Power Supplies
Nhiệt cảm ứng
Máy hàn
Định mức tối đa tuyệt đối ở Tj = 25°C, trừ khi có quy định khác:
Bộ thu-phát Vôn (VGE = 0V): VCES = 1200 Vôn
Cổng-Emitter Vôn (VCE = 0V): VGES = ±20 Vôn
Dòng điện thu (DC, TC = 125°C)2,4: IC = 400 Ampe
Collector hiện tại (Xung, lặp đi lặp lại)3: ICRM = Tổng công suất tiêu thụ 800 Ampe (TC = 25°C)2,*4: Ptot = 2450 Watt
Bộ phát hiện tại2IE11000: Ampe
Bộ phát hiện tại (Xung, lặp đi lặp lại)3: IERM800 Ampe
Điện áp cách ly (Các cực đến Tấm đế, RMS, f = 60Hz, AC 1 phút): Visol = 2500 Vôn
Nhiệt độ mối nối tối đa: Tj(max) = 175 °C
Nhiệt độ trường hợp tối đa: TC(max) = 125 °C
Nhiệt độ tiếp giáp vận hành: Tj(op) = -40 đến +150 °C
Nhiệt độ bảo quản: Tstg = -40 đến +125 °C