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Descrizione: Infineon IGBT I moduli MOD™ sono progettati specificatamente per applicazioni ad alta frequenza, supportando 30 kHz per applicazioni a commutazione dura e da 60 a 70 kHz per applicazioni a commutazione morbida. Ogni modulo comprende una configurazione a mezzo ponte con due IGBT Transistor, con ciascuno Transistor dotato di un diodo a ruota libera a recupero super veloce collegato in senso inverso. Il design garantisce il completo isolamento di tutti i componenti e le interconnessioni dalla piastra base del dissipatore di calore, semplificando l'assemblaggio del sistema e la gestione termica.
Caratteristiche principali:
ESW basso (spento)
Diodo a ruota libera a recupero super veloce discreto
Piastra di base isolata per dissipare facilmente il calore
applicazioni:
Alimentatori
Riscaldamento a induzione
Saldatori
Valori nominali massimi assoluti a Tj = 25°C, se non diversamente specificato:
Collettore-Emettitore voltaggio (VGE = 0V): VCES = 1200 Volt
Porta-emettitore voltaggio (VCE = 0V): VGES = ±20 Volt
Corrente collettore (DC, TC = 125°C)2,4: IC = 400 Ampere
Corrente collettore (impulsiva, ripetitiva)3: ICRM = 800 Ampere Dissipazione di potenza totale (TC = 25°C)2,*4: Ptot = 2450 Watt
Corrente dell'emettitore2IE11000: Ampere
Corrente dell'emettitore (impulso, ripetitivo)3: IERM800 Ampere
Tensione di isolamento (terminali alla piastra base, RMS, f = 60 Hz, CA 1 minuto): Visol = 2500 Volt
Temperatura massima di giunzione: Tj(max) = 175 °C
Temperatura massima della cassa: TC(max) = 125 °C
Temperatura operativa della giunzione: Tj(op) = da -40 a +150 °C
Temperatura di stoccaggio: Tstg = da -40 a +125 °C