Datenblätter:IRF9317PBFProduktfotos:8-SOIC8-SOIC8-SOICProduktschulungsmoduleHoch Spannung Integrierte Schaltungen (HVIC-Gate-Treiber)Designressourcen:IRF9317PBF Sabre ModelIRF9317PBF Spice ModelPCN Montage/Herkunft:MOSFET Backend-Wafer-Verarbeitung 23/Okt/2013Standardpaket:4,000Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:FETs – SingleSerie:HEXFET®Verpackung:Tape & Reel (TR)FET-Typ:MOSFET P-Kanal, MetalloxidFET-Funktion: GateDrain auf Logikebene zu Source Spannung (Vdss): 30 V Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16 A (Ta) Rds Ein (max.) bei Id, Vgs: 6.6 mOhm bei 16 A, 10 VVgs(th) (max.) bei Id: 2.4 V bei 50 µAGate-Ladung (Qg) bei Vgs: 92 nC bei 10 V Eingangskapazität (Ciss) bei Vds: 2820 pF bei 15 V Leistung – max.: 2.5 W Montagetyp: Oberflächenmontage Paket/Gehäuse: 8-SOIC (0.154 Zoll, 3.90 mm Breite) Lieferantengerätepaket: 8-SODynamischer Katalog :P-Kanal-Logikpegel-Gate-FETsAndere Namen:IRF9317TRPBFTR #IRF9317TRPBF Internationaler Gleichrichter IRF9317TRPBF New Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0066 Ohm, 1-Element, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, ROHS-KONFORM, SOP-8, IRF9317TRPBF-Bilder, IRF9317TRPBF-Preis, #IRF9317TRPBF-Lieferant
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E-Mail: [E-Mail geschützt]
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Hersteller-Teilenummer: IRF9317TRPBF
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologien AG
Risikorang: 1.07
Leistungs-Feldeffekttransistor, 16 A I(D), 30 V, 0.0066 Ohm, 1 Elemente, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, ROHS-KONFORM, SOP-8
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologien AG
Risikorang: 1.07
Leistungs-Feldeffekttransistor, 16 A I(D), 30 V, 0.0066 Ohm, 1 Elemente, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, ROHS-KONFORM, SOP-8