Bảng dữ liệu: IRF9317PBF Ảnh sản phẩm: 8-SOIC8-SOIC8-SOIC Mô-đun đào tạo sản phẩmCao Vôn Mạch tích hợp (Trình điều khiển cổng HVIC) Tài nguyên thiết kế: IRF9317PBF Sabre ModelIRF9317PBF Spice ModelPCN Assembly / Origin:mosfet Xử lý Wafer phụ trợ 23/2013/4,000 Gói tiêu chuẩn: XNUMX Semiconductor Sản phẩmNhóm:FET – SingleSeries:HEXFET®Đóng gói:Tape & Reel (TR)FET Loại:mosfet Tính năng P-Channel, Metal OxideFET: Cổng cấp độ logic Vôn (Vdss):30VCurrent – Xả liên tục (Id) @ 25° C:16A (Ta)Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs:6.6 mOhm @ 16A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:2.4V @ 50µAGate Charge (Qg) @ Vgs:92nC @ 10VĐiện dung đầu vào (Ciss) @ Vds:2820pF @ 15VPower – Tối đa:2.5WLoại gắn kết:Gói gắn trên bề mặt / Vỏ:8-SOIC (0.154", Chiều rộng 3.90mm)Gói thiết bị của nhà cung cấp:Danh mục 8-SODynamic :FET cổng mức logic kênh P Tên khác:IRF9317TRPBFTR #IRF9317TRPBF Bộ chỉnh lưu quốc tế IRF9317TRPBF Hiệu ứng trường công suất mới Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 phần tử, kênh P, Silicon, Oxit kim loại Semiconductor FET, ROHS TUÂN THỦ, SOP-8, hình ảnh IRF9317TRPBF, giá IRF9317TRPBF, #IRF9317TRPBF nhà cung cấp
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: IRF9317TRPBF
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Mã ECCN: EAR99
Nhà chế tạo: Infineon Công nghệ AG
Xếp hạng rủi ro: 1.07
Transistor hiệu ứng trường điện, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 phần tử, Kênh P, Silicon, Oxit kim loại Semiconductor FET, TUÂN THỦ ROHS, SOP-8
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Mã ECCN: EAR99
Nhà chế tạo: Infineon Công nghệ AG
Xếp hạng rủi ro: 1.07
Transistor hiệu ứng trường điện, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 phần tử, Kênh P, Silicon, Oxit kim loại Semiconductor FET, TUÂN THỦ ROHS, SOP-8