Rectificador internacional IRF9317TRPBF Disponible

Fichas técnicas: IRF9317PBF Fotos del producto: 8-SOIC8-SOIC8-SOIC Módulos de formación del producto Alto voltaje Circuitos integrados (controladores de compuerta HVIC) Recursos de diseño: IRF9317PBF Modelo Sabre IRF9317PBF Modelo Spice Ensamblaje / origen de PCN:mosfet Procesamiento de obleas de backend 23 / Oct / 2013 Paquete estándar: 4,000 Categoría: Discreto Semiconductores ProductosFamilia:FETs – IndividualSerie:HEXFET®Embalaje:Cinta y carrete (TR)Tipo de FET:mosfet Canal P, óxido metálico Característica FET: Puerta de nivel lógico Drenaje a la fuente voltaje (Vdss):30VCurrent – ​​Drenaje continuo (Id) @ 25° C:16A (Ta)Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.6 mOhm @ 16A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:2.4V @ 50µAGate Charge (Qg) @ Vgs:92nC @ 10VCapacidad de entrada (Ciss) @ Vds:2820pF @ 15VPower – Max:2.5WTipo de montaje:Montaje en superficiePaquete / Caja:8-SOIC (0.154″, 3.90mm de ancho)Paquete de dispositivo del proveedor:8-SOCatálogo dinámico :Puerta de nivel lógico de canal P FETsOtros nombres:IRF9317TRPBFTR #IRF9317TRPBF Rectificador internacional IRF9317TRPBF Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 elementos, canal P, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, CONFORME A ROHS, SOP-8, imágenes IRF9317TRPBF, precio IRF9317TRPBF, proveedor #IRF9317TRPBF
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Correo electrónico: [correo electrónico protegido]

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Número de pieza del fabricante: IRF9317TRPBF
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Tecnologías AG
Rango de riesgo: 1.07
Transistor de Efecto de Campo de Potencia, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 Elemento, Canal P, Silicio, Óxido Metálico Semiconductores FET, CUMPLE CON ROHS, SOP-8