Fiches techniques : IRF9317PBFPhotos de produits :8-SOIC8-SOIC8-SOICModules de formation sur les produitsÉlevé Tension Circuits intégrés (pilotes de porte HVIC)Ressources de conception : Modèle Sabre IRF9317PBF Modèle Spice IRF9317PBF Assemblage/Origine :mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Package standard : 4,000Catégorie : Discret Semi-conducteurs Famille de produits : FET – SingleSérie : HEXFET®Emballage : Bande et bobine (TR)Type de FET :mosfet Fonction P-Channel, Metal OxideFET : Porte de niveau logiqueDrain vers la source Tension (Vdss) : 30 V Courant – Drain continu (Id) à 25 °C : 16 A (Ta) Rds activé (Max) à Id, Vgs : 6.6 mOhm à 16 A, 10 V Vgs (th) (Max) à Id : 2.4 V à 50 µAGate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10VCapacité d'entrée (Ciss) @ Vds:2820pF @ 15VPuissance – Max:2.5WType de montage:Montage en surfaceEmballage/boîtier:8-SOIC (0.154″, largeur 3.90 mm)Ensemble de périphérique du fournisseur:Catalogue dynamique 8-SODynamic :FET à porte de niveau logique à canal PAutres noms:IRF9317TRPBFTR #IRF9317TRPBF International Rectifier IRF9317TRPBF Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 éléments, canal P, silicium, oxyde de métal Semi-conducteurs FET, CONFORME ROHS, SOP-8, images IRF9317TRPBF, prix IRF9317TRPBF, fournisseur #IRF9317TRPBF
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E-mail: [email protected]
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Numéro de pièce du fabricant : IRF9317TRPBF
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies SA
Classement de risque: 1.07
Transistor à effet de champ de puissance, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 éléments, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, CONFORME ROHS, SOP-8
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies SA
Classement de risque: 1.07
Transistor à effet de champ de puissance, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1 éléments, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, CONFORME ROHS, SOP-8