#IRF4104 IR IRF4104 Neuer Leistungsfeldeffekt Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-220AB, KUNSTSTOFFPAKET-3, IRF4104-Bilder, IRF4104-Preis, #IRF4104-Lieferant
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E-Mail: [E-Mail geschützt]
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https://www.slw-ele.com/irf4104.html
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Hersteller-Teilenummer: IRF4104
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 5.65
Zusätzliche Funktion: LAWINENBEWERTUNG, HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT, ULTRA-NIEDRIGER WIDERSTAND
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 220 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 40 V.
Drainstrom-Max (ID): 75 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.0055 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 470 A
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-220AB, KUNSTSTOFFGEHÄUSE-3
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 5.65
Zusätzliche Funktion: LAWINENBEWERTUNG, HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT, ULTRA-NIEDRIGER WIDERSTAND
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 220 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 40 V.
Drainstrom-Max (ID): 75 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.0055 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 470 A
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-220AB, KUNSTSTOFFGEHÄUSE-3