IR IRF4104 В наличии

Обновление: 6 марта 2024 г. Теги: ic technology

#IRF4104 IR IRF4104 Новый мощный полевой эффект Транзистор, 75A I (D), 40 В, 0.0055 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, оксид металла Полупроводниковое FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, фото IRF4104, цена IRF4104, поставщик # IRF4104
-----------------------
Электронная почта: [электронная почта защищена]
https://www.slw-ele.com/irf4104.html

-----------------------

Номер детали производителя: IRF4104
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: активный
Производитель IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Описание упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА, R-PSFM-T3
Производитель: Infineon Technologies AG
Рейтинг риска: 5.65
Дополнительные характеристики: ЛАВИНА, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, Сверхнизкое сопротивление.
Рейтинг энергии лавин (EAS): 220 мДж
Подключение корпуса: СЛИВ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 40 В
Максимальный ток стока (ID): 75 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.0055 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JEDEC-95: TO-220AB
Код JESD-30: R-PSFM-T3
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 3
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 470 A
Поверхностное крепление: НЕТ
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Конечное положение: ОДИН
Время
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 40 В, 0.0055 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксид Полупроводниковое ФЕТ, ТО-220АБ, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-3