#IRF4104 IR IRF4104 Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 75A I (D), 40V, 0.0055ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, imágenes IRF4104, precio IRF4104, proveedor # IRF4104
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Correo electrónico: [correo electrónico protegido]
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https://www.slw-ele.com/irf4104.html
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Número de parte del fabricante: IRF4104
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 5.65
Característica adicional: AVALANCHE CLASIFICADO, ALTA FIABILIDAD, RESISTENCIA ULTRABAJA
Clasificación energética de avalancha (Eas): 220 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 40 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 75 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.0055 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 470 A
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 75A I (D), 40V, 0.0055ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-220AB, PAQUETE DE PLÁSTICO-3
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 5.65
Característica adicional: AVALANCHE CLASIFICADO, ALTA FIABILIDAD, RESISTENCIA ULTRABAJA
Clasificación energética de avalancha (Eas): 220 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 40 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 75 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.0055 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 470 A
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 75A I (D), 40V, 0.0055ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-220AB, PAQUETE DE PLÁSTICO-3