#IRF4104 IR IRF4104 Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 75 A I(D), 40 V, 0.0055 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, images IRF4104, prix IRF4104, fournisseur #IRF4104
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https://www.slw-ele.com/irf4104.html
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Numéro de pièce du fabricant : IRF4104
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 5.65
Caractéristique supplémentaire : ÉVALUATION AVALANCHE, FIABILITÉ ÉLEVÉE, RÉSISTANCE ULTRA FAIBLE
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 220 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 40 V
Courant de drain-Max (ID): 75 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0055 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 470 A
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, EMBALLAGE PLASTIQUE-3
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 5.65
Caractéristique supplémentaire : ÉVALUATION AVALANCHE, FIABILITÉ ÉLEVÉE, RÉSISTANCE ULTRA FAIBLE
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 220 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 40 V
Courant de drain-Max (ID): 75 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0055 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 470 A
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, EMBALLAGE PLASTIQUE-3