#PM100RSE120 Mitsubishi PM100RSE120 Neuer Mitsubishi Modulen 100A / 1200V, PM100RSE120 Bilder, PM100RSE120 Preis, #PM100RSE120 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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PM100RSE120 FUNKTION
a) Einführung neuer planarer 4. Generation IGBT Chip, dessen Leistung durch einen 1μm Feinregelprozess verbessert wird.
b) Verwendung einer neuen Diode, die für weiche Reverse-Recovery-Eigenschaften ausgelegt ist.
• 3φ 100A, 1200V Stromerfassung IGBT für 15kHz Umschaltung
• 50 A, 1200 V IGBT mit regenerativer Bremse mit Strommessung
• Monolithische Gate-Ansteuerung und Schutzlogik
• Erkennungs-, Schutz- und Statusanzeigeschaltungen für Überstrom, KurzschlussSchaltung, Übertemperatur & Unter-Spannung
• Akustisch geräuschlose Wechselrichteranwendung der Klasse 18.5/22kW
a) Einführung neuer planarer 4. Generation IGBT Chip, dessen Leistung durch einen 1μm Feinregelprozess verbessert wird.
b) Verwendung einer neuen Diode, die für weiche Reverse-Recovery-Eigenschaften ausgelegt ist.
• 3φ 100A, 1200V Stromerfassung IGBT für 15kHz Umschaltung
• 50 A, 1200 V IGBT mit regenerativer Bremse mit Strommessung
• Monolithische Gate-Ansteuerung und Schutzlogik
• Erkennungs-, Schutz- und Statusanzeigeschaltungen für Überstrom, KurzschlussSchaltung, Übertemperatur & Unter-Spannung
• Akustisch geräuschlose Wechselrichteranwendung der Klasse 18.5/22kW
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 100A
Kollektorstrom Icp: 200A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 595W
Sammler-Emitter Spannung VCES: 2500 V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Drehmoment der Befestigungsschraube 3.5 * 1 N · m
Mitsubishi-Modul 100A / 1200V