#PM100RSE120 미쓰비시 PM100RSE120 신형 미쓰비시 모듈 100A / 1200V, PM100RSE120 사진, PM100RSE120 가격, #PM100RSE120 공급업체
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Email: sales@shunlongwei.com
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PM100RSE120 기능
a) 새로운 4세대 Planar 채택 IGBT 1μm Fine Rule 공정으로 성능을 향상시킨 칩입니다.
b) 부드러운 역회복 특성을 갖도록 설계된 새로운 다이오드를 사용합니다.
• 3φ 100A, 1200V 전류 감지 IGBT 15kHz 스위칭용
• 50A, 1200V 전류 감지 회생 브레이크 IGBT
• 모놀리식 게이트 드라이브 및 보호 로직
• 과전류, 단락에 대한 감지, 보호 및 상태 표시 회로회로, 과열 및 미달전압
• 무소음 18.5/22kW급 인버터 적용
a) 새로운 4세대 Planar 채택 IGBT 1μm Fine Rule 공정으로 성능을 향상시킨 칩입니다.
b) 부드러운 역회복 특성을 갖도록 설계된 새로운 다이오드를 사용합니다.
• 3φ 100A, 1200V 전류 감지 IGBT 15kHz 스위칭용
• 50A, 1200V 전류 감지 회생 브레이크 IGBT
• 모놀리식 게이트 드라이브 및 보호 로직
• 과전류, 단락에 대한 감지, 보호 및 상태 표시 회로회로, 과열 및 미달전압
• 무소음 18.5/22kW급 인버터 적용
최대 등급 및 특성
. 절대 최대 정격 (지정되지 않은 경우 Tc = 25 ° C)
수집기 방출기 전압 Vces : 1200V
게이트 방출기 전압 VGES : ± 20V
수집기 전류 IC: 100A
콜렉터 전류 Icp : 200A
수집기 전력 흩어지기 Pc : 595W
수집기 방출기 전압 VCES : 2500V
작동 접합 온도 Tj : + 150 ° C
보관 온도 Tstg : -40 ~ + 125 ° C
장착 나사 토크 3.5 * 1 N · m
미쓰비시 모듈 100A / 1200V