#PM100RSE120 Mitsubishi PM100RSE120 Novo Mitsubishi módulo 100A / 1200V, fotos PM100RSE120, preço PM100RSE120, fornecedor # PM100RSE120
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Email: sales@shunlongwei.com
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RECURSO PM100RSE120
a) Adotando o novo plano de 4ª geração IGBT chip, cujo desempenho é melhorado pelo processo de regra fina de 1μm.
b) Usando um novo diodo que é projetado para obter características de recuperação reversa suave.
• 3φ 100A, 1200V Current-sense IGBT para comutação de 15kHz
• IGBT de freio regenerativo de detecção de corrente 50A, 1200V
• Unidade de porta monolítica e lógica de proteção
• Circuitos de detecção, proteção e indicação de status para sobrecorrente, curtoo circuito, superaquecimento e sub-Voltagem
• Aplicação de inversor de classe 18.5 / 22kW sem ruído acústico
a) Adotando o novo plano de 4ª geração IGBT chip, cujo desempenho é melhorado pelo processo de regra fina de 1μm.
b) Usando um novo diodo que é projetado para obter características de recuperação reversa suave.
• 3φ 100A, 1200V Current-sense IGBT para comutação de 15kHz
• IGBT de freio regenerativo de detecção de corrente 50A, 1200V
• Unidade de porta monolítica e lógica de proteção
• Circuitos de detecção, proteção e indicação de status para sobrecorrente, curtoo circuito, superaquecimento e sub-Voltagem
• Aplicação de inversor de classe 18.5 / 22kW sem ruído acústico
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 1200V
Emissor de porta Voltagem VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 100A
Corrente do coletor Icp: 200A
Dissipação de energia do coletor Pc: 595W
Coletor-Emissor Voltagem VCES: 2500V
Temperatura de junção operacional Tj: + 150 ° C
Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a + 125 ° C
Torque do parafuso de montagem 3.5 * 1 N · m
Módulo Mitsubishi 100A / 1200V