#PM100RSE120 Mitsubishi PM100RSE120 Nuova Mitsubishi modulo 100A / 1200V, immagini PM100RSE120, prezzo PM100RSE120, fornitore #PM100RSE120
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Email: sales@shunlongwei.com
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FUNZIONE PM100RSE120
a) Adozione del nuovo planare di quarta generazione IGBT chip, le cui prestazioni sono migliorate dal processo di regola fine di 1μm.
b) Utilizzo di un nuovo diodo progettato per ottenere caratteristiche di recupero inverso morbido.
• 3φ 100 A, 1200 V Rilevamento corrente IGBT per la commutazione a 15 kHz
• 50A, 1200V freno rigenerativo a rilevamento di corrente IGBT
• Logica di azionamento e protezione del cancello monolitico
• Circuiti di rilevamento, protezione e indicazione di stato per sovracorrente, cortocircuitocircuito, sovratemperatura e sotto-voltaggio
• Applicazione inverter di classe 18.5/22kW senza rumore acustico
a) Adozione del nuovo planare di quarta generazione IGBT chip, le cui prestazioni sono migliorate dal processo di regola fine di 1μm.
b) Utilizzo di un nuovo diodo progettato per ottenere caratteristiche di recupero inverso morbido.
• 3φ 100 A, 1200 V Rilevamento corrente IGBT per la commutazione a 15 kHz
• 50A, 1200V freno rigenerativo a rilevamento di corrente IGBT
• Logica di azionamento e protezione del cancello monolitico
• Circuiti di rilevamento, protezione e indicazione di stato per sovracorrente, cortocircuitocircuito, sovratemperatura e sotto-voltaggio
• Applicazione inverter di classe 18.5/22kW senza rumore acustico
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1200V
Porta-emettitore voltaggio VGES: ± 20 V.
Corrente del collettore IC: 100A
Corrente di collettore Icp: 200A
Dissipazione potenza collettore Pc: 595W
Collettore-Emettitore voltaggio VCES: 2500 V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Coppia delle viti di montaggio 3.5 * 1 N · m
Modulo Mitsubishi 100A / 1200V