#PM100RSE120 Mitsubishi PM100RSE120 Nouveau Mitsubishi module 100A / 1200V, photos PM100RSE120, prix PM100RSE120, fournisseur #PM100RSE120
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Email: sales@shunlongwei.com
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CARACTÉRISTIQUE DU PM100RSE120
a) Adopter le nouveau planaire de 4e génération IGBT puce, dont les performances sont améliorées par un processus de règle fine de 1 μm.
b) Utilisation d'une nouvelle diode conçue pour obtenir des caractéristiques de récupération inverse douces.
• 3φ 100A, 1200V détection de courant IGBT pour commutation 15kHz
• IGBT de freinage régénératif à détection de courant de 50 A, 1200 XNUMX V
• Commande de porte monolithique et logique de protection
• Circuits de détection, de protection et d'indication d'état pour les surintensités, les courts-circuitscircuit, surchauffe et sous-Tension
• Application d'onduleur de classe 18.5/22 kW sans bruit acoustique
a) Adopter le nouveau planaire de 4e génération IGBT puce, dont les performances sont améliorées par un processus de règle fine de 1 μm.
b) Utilisation d'une nouvelle diode conçue pour obtenir des caractéristiques de récupération inverse douces.
• 3φ 100A, 1200V détection de courant IGBT pour commutation 15kHz
• IGBT de freinage régénératif à détection de courant de 50 A, 1200 XNUMX V
• Commande de porte monolithique et logique de protection
• Circuits de détection, de protection et d'indication d'état pour les surintensités, les courts-circuitscircuit, surchauffe et sous-Tension
• Application d'onduleur de classe 18.5/22 kW sans bruit acoustique
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1200 V
Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V
Courant de collecteur IC: 100A
Courant de collecteur Icp: 200A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 595W
Collecteur-émetteur Tension VCE : 2500 V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Couple de serrage de la vis de montage 3.5 * 1 N · m
Module Mitsubishi 100A / 1200V