#BFS17LT1 MOT BFS17LT1 Neues bipolares HF-Kleinsignal Transistor, 1-Element, Sehr hohes Frequenzband, Silizium, NPN, TO-236AB, BFS17LT1-Bilder, BFS17LT1-Preis, #BFS17LT1-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/bfs17lt1.html
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Hersteller-Teilenummer: BFS17LT1
Rohs Code: Nein
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: MOTOROLA INC
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.21.00.75
Hersteller: Motorola Halbleiter Produkte
Risikorang: 5.84
Zusätzliche Funktion: GERINGES GERÄUSCH
Sammler-Emitter Spannung-Max: 15 V.
Konfiguration: EINZELN
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 20
Höchstes Frequenzband: SEHR HOCHFREQUENZBAND
JEDEC-95-Code: TO-236AB
JESD-30-Code: R-PDSO-G3
JESD-609-Code: e0
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität / Kanaltyp: NPN
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminal Finish: Zinn / Blei (Sn / Pb)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Transistoranwendung: VERSTÄRKER
Transistor Element Material: SILIKON
Übergangsfrequenz-Nom (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V.
HF-Kleinsignal-Bipolartransistor, 1 Element, sehr hohes Frequenzband, Silizium, NPN, TO-236AB
Rohs Code: Nein
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: MOTOROLA INC
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.21.00.75
Hersteller: Motorola Halbleiter Produkte
Risikorang: 5.84
Zusätzliche Funktion: GERINGES GERÄUSCH
Sammler-Emitter Spannung-Max: 15 V.
Konfiguration: EINZELN
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 20
Höchstes Frequenzband: SEHR HOCHFREQUENZBAND
JEDEC-95-Code: TO-236AB
JESD-30-Code: R-PDSO-G3
JESD-609-Code: e0
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität / Kanaltyp: NPN
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminal Finish: Zinn / Blei (Sn / Pb)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Transistoranwendung: VERSTÄRKER
Transistor Element Material: SILIKON
Übergangsfrequenz-Nom (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V.
HF-Kleinsignal-Bipolartransistor, 1 Element, sehr hohes Frequenzband, Silizium, NPN, TO-236AB