#BFS17LT1 MOT BFS17LT1 Lưỡng cực tín hiệu nhỏ RF mới Transistor, 1 phần tử, Dải tần số rất cao, Silicon, NPN, TO-236AB, hình ảnh BFS17LT1, giá BFS17LT1, nhà cung cấp # BFS17LT1
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/bfs17lt1.html
-----------------------
Số bộ phận của nhà sản xuất: BFS17LT1
Mã Rohs: Không
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: MOTOROLA INC
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: Motorola Semiconductor Sản phẩm
Xếp hạng rủi ro: 5.84
Tính năng bổ sung: Tiếng ồn THẤP
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 15 V
Cấu hình: SINGLE
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 20
Dải tần số cao nhất: Dải tần số RẤT CAO
Mã JEDEC-95: TO-236AB
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e0
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: NPN
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Chì (Sn / Pb)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Ứng dụng bóng bán dẫn: AMPLIFIER
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Tần số chuyển đổi-Nom (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Bóng bán dẫn lưỡng cực tín hiệu nhỏ RF, 1 phần tử, dải tần số rất cao, Silicon, NPN, TO-236AB
Mã Rohs: Không
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: MOTOROLA INC
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: Motorola Semiconductor Sản phẩm
Xếp hạng rủi ro: 5.84
Tính năng bổ sung: Tiếng ồn THẤP
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 15 V
Cấu hình: SINGLE
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 20
Dải tần số cao nhất: Dải tần số RẤT CAO
Mã JEDEC-95: TO-236AB
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e0
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: NPN
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Chì (Sn / Pb)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Ứng dụng bóng bán dẫn: AMPLIFIER
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Tần số chuyển đổi-Nom (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Bóng bán dẫn lưỡng cực tín hiệu nhỏ RF, 1 phần tử, dải tần số rất cao, Silicon, NPN, TO-236AB