#BFS17LT1 MOT BFS17LT1 Nuovo bipolare a segnale ridotto RF Transistor, 1 elemento, banda ad altissima frequenza, silicio, NPN, TO-236AB, immagini BFS17LT1, prezzo BFS17LT1, fornitore #BFS17LT1
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/bfs17lt1.html
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Codice produttore: BFS17LT1
Codice Rohs: No
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: MOTOROLA INC
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.21.00.75
Produttore: Motorola Semiconduttore Prodotti
Grado di rischio: 5.84
Caratteristica aggiuntiva: BASSO RUMORE
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 15 V
Configurazione: SINGOLA
Guadagno min corrente CC (hFE): 20
Banda di frequenza più alta: BANDA DI FREQUENZA MOLTO ALTA
Codice JEDEC-95: TO-236AB
Codice JESD-30: R-PDSO-G3
Codice JESD-609: e0
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Polarità / Tipo di canale: NPN
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: stagno / piombo (Sn / Pb)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Applicazione transistor: AMPLIFICATORE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Frequenza di transizione-Nom (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Transistor bipolare a segnale ridotto RF, 1 elemento, banda ad altissima frequenza, silicio, NPN, TO-236AB
Codice Rohs: No
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: MOTOROLA INC
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.21.00.75
Produttore: Motorola Semiconduttore Prodotti
Grado di rischio: 5.84
Caratteristica aggiuntiva: BASSO RUMORE
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 15 V
Configurazione: SINGOLA
Guadagno min corrente CC (hFE): 20
Banda di frequenza più alta: BANDA DI FREQUENZA MOLTO ALTA
Codice JEDEC-95: TO-236AB
Codice JESD-30: R-PDSO-G3
Codice JESD-609: e0
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Polarità / Tipo di canale: NPN
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: stagno / piombo (Sn / Pb)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Applicazione transistor: AMPLIFICATORE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Frequenza di transizione-Nom (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Transistor bipolare a segnale ridotto RF, 1 elemento, banda ad altissima frequenza, silicio, NPN, TO-236AB