#BFS17LT1 MOT BFS17LT1 Nuevo bipolar RF de pequeña señal Transistor, 1 elemento, banda de muy alta frecuencia, silicio, NPN, TO-236AB, imágenes BFS17LT1, precio BFS17LT1, proveedor # BFS17LT1
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/bfs17lt1.html
-----------------------
Número de parte del fabricante: BFS17LT1
Código Rohs: No
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de IHS: MOTOROLA INC
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.75
Fabricante: Motorola Semiconductores Productos
Rango de riesgo: 5.84
Característica adicional: BAJO RUIDO
Colector-Emisor voltaje-Máx: 15 V
Configuración: INDIVIDUAL
Ganancia mínima de corriente CC (hFE): 20
Banda de frecuencia más alta: BANDA DE FRECUENCIA MUY ALTA
Código JEDEC-95: TO-236AB
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Código JESD-609: e0
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Polaridad / Tipo de canal: NPN
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño / plomo (Sn / Pb)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Aplicación del transistor: AMPLIFIER
Transistor Material del elemento: SILICIO
Frecuencia de transición nominal (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Transistor bipolar de señal pequeña RF, 1 elemento, banda de muy alta frecuencia, silicio, NPN, TO-236AB
Código Rohs: No
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de IHS: MOTOROLA INC
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.75
Fabricante: Motorola Semiconductores Productos
Rango de riesgo: 5.84
Característica adicional: BAJO RUIDO
Colector-Emisor voltaje-Máx: 15 V
Configuración: INDIVIDUAL
Ganancia mínima de corriente CC (hFE): 20
Banda de frecuencia más alta: BANDA DE FRECUENCIA MUY ALTA
Código JEDEC-95: TO-236AB
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Código JESD-609: e0
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Polaridad / Tipo de canal: NPN
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño / plomo (Sn / Pb)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Aplicación del transistor: AMPLIFIER
Transistor Material del elemento: SILICIO
Frecuencia de transición nominal (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Transistor bipolar de señal pequeña RF, 1 elemento, banda de muy alta frecuencia, silicio, NPN, TO-236AB