#BFS17LT1 MOT BFS17LT1 Nouveau RF Petit Signal Bipolaire Transistor, 1 élément, bande de très haute fréquence, silicium, NPN, TO-236AB, images BFS17LT1, prix BFS17LT1, fournisseur #BFS17LT1
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/bfs17lt1.html
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Numéro de pièce du fabricant : BFS17LT1
Code Rohs: Non
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: MOTOROLA INC
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.21.00.75
Fabricant : Motorola Semi-conducteurs Produits
Classement de risque: 5.84
Caractéristique supplémentaire : FAIBLE BRUIT
Collecteur-émetteur Tension-Max: 15 V
Configuration: UNIQUE
Gain de courant CC-Min (hFE): 20
Bande de fréquence la plus élevée : BANDE DE TRÈS HAUTE FRÉQUENCE
Code JEDEC-95: TO-236AB
Code JESD-30: R-PDSO-G3
Code JESD-609: e0
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: NPN
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: étain / plomb (Sn / Pb)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Application de transistor : AMPLIFICATEUR
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Fréquence-Nom de transition (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Transistor bipolaire RF à petit signal, 1 élément, bande de très haute fréquence, silicium, NPN, TO-236AB
Code Rohs: Non
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: MOTOROLA INC
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.21.00.75
Fabricant : Motorola Semi-conducteurs Produits
Classement de risque: 5.84
Caractéristique supplémentaire : FAIBLE BRUIT
Collecteur-émetteur Tension-Max: 15 V
Configuration: UNIQUE
Gain de courant CC-Min (hFE): 20
Bande de fréquence la plus élevée : BANDE DE TRÈS HAUTE FRÉQUENCE
Code JEDEC-95: TO-236AB
Code JESD-30: R-PDSO-G3
Code JESD-609: e0
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: NPN
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: étain / plomb (Sn / Pb)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Application de transistor : AMPLIFICATEUR
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Fréquence-Nom de transition (fT): 1300 MHz
VCEsat-Max: 0.4 V
Transistor bipolaire RF à petit signal, 1 élément, bande de très haute fréquence, silicium, NPN, TO-236AB