1. März 2024 – Nexperia hat kürzlich mehrere neue MOSFETs auf den Markt gebracht, um sein Angebot an diskreten Schaltlösungen für eine Vielzahl von Anwendungen in mehreren Endmärkten weiter zu erweitern. Diese Version umfasst anwendungsspezifische 100-V-MOSFETs (ASFETs) für PoE, eFuse und Relaisersatz in einem 60 % kleineren DFN2020-Gehäuse sowie 40-V-NextPowerS3-MOSFETs mit verbesserter elektromagnetischer Verträglichkeit (EMV).
PoE-Switches verfügen typischerweise über bis zu 48 Ports, von denen jeder zum Schutz 2 MOSFETs benötigt. Mit bis zu 96 MOSFETs auf einer einzigen Leiterplatte ist jede Reduzierung des Geräte-Footprints attraktiv. Aus diesem Grund hat Nexperia 100-V-PoE-ASFETs im 2 mm x 2 mm großen DFN2020-Gehäuse herausgebracht, das 60 % weniger Platz einnimmt als frühere Versionen im LFPAK33-Gehäuse. Eine wichtige Funktion dieser Geräte besteht darin, PoE-Ports durch die Begrenzung von Einschaltströmen zu schützen und gleichzeitig Fehlerzustände sicher zu bewältigen. Um dieses Szenario zu bewältigen, hat Nexperia den sicheren Betriebsbereich (SOA) dieser Geräte um das Dreifache erweitert, bei nur minimaler Erhöhung des RDS(on). Diese ASFETs eignen sich auch für das Batteriemanagement, Wi-Fi Hotspot-, 5G-Picocell- und CCTV-Anwendungen und können beispielsweise als Ersatz für mechanische Relais in intelligenten Thermostaten dienen.
EMV-bezogene Probleme verursacht durch MOSFET Wechsel treten in der Regel erst spät im Produktentwicklungslebenszyklus auf und ihre Lösung kann zusätzliche Forschungs- und Entwicklungskosten verursachen und die Markteinführung verzögern. Typische Lösungen umfassen die Verwendung deutlich teurerer MOSFETs mit niedrigerem RDS(on) (um das Schalten zu verlangsamen und übermäßiges Spannungsschwingen zu absorbieren) oder den Einbau einer externen kapazitiven Snubber-Schaltung, aber dieser Ansatz hat den Nachteil, dass die Anzahl der Komponenten steigt. Nexperia hat seine 40-V-NextPowerS3-MOSFETs optimiert, um eine ähnliche EMV-Leistung wie mit einer externen Snubber-Schaltung zu bieten und gleichzeitig einen höheren Wirkungsgrad zu bieten. Diese MOSFETs eignen sich für den Einsatz in Schaltwandlern und Motorsteuerungen in verschiedenen Anwendungen und sind im LFPAK56-Gehäuse erhältlich.
„Mit der Vorstellung dieser neuesten Ergänzungen zu unserem Angebot an diskreten FET-Lösungen auf der APEC 2024 zeigt Nexperia, wie wir unsere Expertise in Forschung und Entwicklung nutzen, um optimierte Lösungen zu liefern. Sowohl unsere neuen 100-V-PoE-ASFETs als auch die verbesserte EMV-Leistung unserer 40-V-NextPowerS3-MOSFETs zeigen unser Engagement, Ingenieure bei der Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Anwendungen zu unterstützen. Diese Innovationen unterstreichen das Engagement von Nexperia, effiziente, kompakte und zuverlässige Lösungen bereitzustellen, die es unseren Kunden ermöglichen, auf dem sich ständig weiterentwickelnden Markt von heute erfolgreich zu sein“, sagt Chris Boyce, MOSFET Marketing & Product Group Director bei Nexperia.
Um mehr über die PoE-ASFETs von Nexperia zu erfahren, besuchen Sie: https://www.nexperia.com/asfets-for-poe.
Um mehr über die NextPowerS3-MOSFETs von Nexperia zu erfahren, besuchen Sie: https://www.nexperia.com/nextpowers3.